尊敬的客户&合作伙伴们

PCIM Asia是亚洲领先的电力电子展会，以其一如既往的专业性、全面的产品种类，吸引国内外专家、电力电子展商齐聚一堂，

展示电力电子、智能运动、可再生能源及能源管理前沿技术产品及案例分享，聚焦电力电子关键应用领域的解决方案。

此次盛会将于8月29日至31日在上海新国际博览中心举行。

一如既往，惠达康科技将携高效的功率器件组合产品及应用方案亮相PCIM Asia 2023。

上海国际电力元件、

可再生能源管理展览会

PCIM Asia 2023

2023年8月29-31日

展位号：W2馆 2E12

中国·上海新国际博览中心

功率驱动，赋能新未来

在此，我们诚挚地邀请您莅临 PCIM Asia 2023 展览会，到上海新国际博览中心W2馆2E12展位参观、洽谈交流。

* 我们为打卡观众准备了清凉小福利一份

欢迎大家扫描下方二维码报名注册

主推产品前瞻

01 Elite MOSFET(SGT)

拥有S1、S2系列

全系列覆盖30V~250V 电压平台

采用超深沟槽设计以及匹配更高掺杂浓度的外延

更低的导通电阻、更快的开关速度和更低的损耗

应用：开关电源、电池保护、手机快充、电机驱动、数据中心、储能、微逆、汽车电子等领域

02 Elite MOSFET(SJ)

基于华虹宏力Deep-Trench工艺平台 

覆盖200V~1000V 电压平台，4mΩ~4000mΩ导通电阻 

开关速度快、反向恢复时间短、开关损耗少、EMI兼容性、高可靠性的独特优化设计

应用：充电桩、工业电源、5G通讯、光伏储能、微逆、车载电源等，也在TV电源、适配器、PD快充、LED照明、显示器等消费领域广泛应用

03 高压高频IGBT

采用目前业内Trench FS工艺 

成熟量产3um，2.4um pitch 6-100A产品

全力开发1.6um 100-200A产品 

覆盖 650/ 750/ 950/ 1200/ 1700V 电压等级 

全系列提供较低导通压降和开关损耗，抗冲击能力强，着力优化IGBT大电流并联特性

应用：直流充电桩、光伏储能、汽车热管理、车载电源等领域

04 IPM智能功率模块

集成Trench FS工艺的高性能IGBT功率芯片、低损耗、耐冲击、高短路耐量、高可靠性

特性领先的扩铂工艺MOSFET功率芯片、低损耗、优越的反向恢复特性、高可靠性

集成与功率芯片高度匹配的成熟工艺驱动IC，最大限度优化的开关损耗及EMI水平

集成上下桥互锁、温度输出、欠压保护、过流保护、报错输出等多项功能、及时高效保护

成熟先进严格管控的封装工艺，工业标准可靠性保证

500V~600V，3A~50A规格的成熟产品，聚焦高性能电机驱动应用，覆盖小家电、白色家电、商用变频机器等变频控制市场，展望机器人到汽车电子的未来方向

05 SiC MOSFET

元胞面积小，采用独特的排列方式；

结电容小，开关速度快、损耗低，完美适配高频应用场景；

体二极管VF低，反向恢复损耗低，适合作为SiC MOSFET的续流二极管使用

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